| 型号：SI4913DY-T1-E3 | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC |
| 系列 | TrenchFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 7.1A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 15 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 1V @ 500µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 65nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | - |
| 功率_最大 | 1.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
| 鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司 | 孙小姐/李先生/钱先生0532-87557828 |
| 深圳市易信优科技有限公司 | 陈佳隆0755-23914006/18318877587 |
| 深圳市宇明芯科技有限公司 | 李小姐0755-83051566 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳市旺财半导体有限公司 | 李先生86-83209217 |
| 深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
| 深圳市三得电子有限公司 | 谢先生15026993318 |
| 深圳市品德冠科技有限公司 | 朱先生/龙先生/唐小姐／公司可以开１７％的税086-0755-８２７８９２９６ |
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RES MF 1/2W 499K OHM 1% AXIAL
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Stackpole Electronics Inc
1206（3216 公制）
RES 825 OHM 1/8W 0.1% 1206
- RNCS0603BKE121R
芯片电阻 - 表面安装
Stackpole Electronics Inc
0603（1608 公制）
RES 1/16W 121 OHM 0.1% 0603
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RES 4.42K OHM 1/4W .1% AXIAL
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0603（1608 公制）
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1206（3216 公制）
RES 8.45K OHM 1/8W 0.1% 1206
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196-LBGA
CONN PLUG 6POS .200＂ SPRNG CLAMP
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FET - 阵列
Vishay Siliconix
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
- RNCS0603BKE150R
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0603（1608 公制）
RES 1/16W 150 OHM 0.1% 0603
- RNCF1206BTE8K66
芯片电阻 - 表面安装
Stackpole Electronics Inc
1206（3216 公制）
RES 8.66K OHM 1/8W 0.1% 1206
- SDK-DM3730-10-256512R
通用嵌入式开发板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等）
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1206（3216 公制）
RES 9.53K OHM 1/8W 0.1% 1206
- SDK-DM3730-20-256512R
通用嵌入式开发板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等）
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60-XFQFN 裸露焊盘
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