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电子元器件详细资料 » IC[27039] » SI4913DY-T1-E3
型号:SI4913DY-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET P-CH DUAL 20V 7.1A 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C7.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C15 毫欧 @ 9.4A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 500µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs65nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装剪切带 (CT)

供应商

鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司孙小姐/李先生/钱先生0532-87557828
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
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SI4913DY-T1-E3相关型号

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